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TSM220NB06CR RLG

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TSM220NB06CR RLG
Descripción:	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	22mOhm @ 8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.1W (Ta), 68W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PDFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1454pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V