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SISS65DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SISS65DN-T1-GE3
Descripción:	MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET® Gen III
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) - Id	2.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.6mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	138nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4930pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	25.9A (Ta), 94A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V