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RQ1E075XNTCR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ1E075XNTCR
Descripción: 4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TSMT8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.8nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 440pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 76 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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