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SIRA10BDP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SIRA10BDP-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CHAN 30V
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id	2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	3.6mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.)	5W (Ta), 43W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	36.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1710pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	30A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V