La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

RQ6E060ATTCR

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	RQ6E060ATTCR
Descripción:	RQ6E060AT IS LOW ON-RESISTANCE M
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	26.4mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.)	950mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	TSMT6 (SC-95)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	25.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1200pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V