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SQD10N30-330H_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQD10N30-330H_GE3
Descripción: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 330mOhm @ 14A, 10V
Disipación de energía (máx.) 107W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 47nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 300V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2190pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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