La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI7892BDP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7892BDP-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 40nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3775pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.68 $0.67 $0.65
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
$0
R6004JND3TL1
ROHM Semiconductor
$1.59
DMTH6004LPS-13
Diodes Incorporated
$0
STL65N3LLH5
STMicroelectronics
$0
RS1E281BNTB1
ROHM Semiconductor
$0