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SIHD6N62ET1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHD6N62ET1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 78W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 620V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 578pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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