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SISF20DN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SISF20DN-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 33nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1290pF @ 30V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 14A (Ta), 52A (Tc) |
En stock 50 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.56 | $1.53 | $1.50 |
Mínimo: 1
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