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BSZ15DC02KDHXTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSZ15DC02KDHXTMA1
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Tipo FET N and P-Channel Complementary
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2.5W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.4V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 419pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.1A, 3.2A

En stock 650 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.02 $1.00 $0.98
Mínimo: 1

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