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SQJ960EP-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SQJ960EP-T1_GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 34W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 735pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A

En stock 875 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.94 $1.90 $1.86
Mínimo: 1

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