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GT50J121(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: GT50J121(Q)
Descripción: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 240W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3PL
Condición de la prueba 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Cambio de energía 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 90ns/300ns
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P(LH)
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 100A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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