La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
GT10J312(Q)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - IGBTs - Single |
| Ficha técnica: | GT10J312(Q) |
| Descripción: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de entrada | Standard |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 60W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Condición de la prueba | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Número de pieza base | GT10 |
| Cambio de energía | - |
| Td (encendido/apagado) a 25oC | 400ns/400ns |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220SM |
| Vce(on) (Max) á Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 200ns |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 10A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 20A |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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