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GT60N321(Q)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - IGBTs - Single |
| Ficha técnica: | GT60N321(Q) |
| Descripción: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de entrada | Standard |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 170W |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-3PL |
| Condición de la prueba | - |
| Número de pieza base | GT60 |
| Cambio de energía | - |
| Td (encendido/apagado) a 25oC | 330ns/700ns |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3P(LH) |
| Vce(on) (Max) á Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2.5µs |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 60A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 120A |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1000V |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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