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US6M11TR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: US6M11TR
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-SMD, Flat Leads
Número de pieza base *M11
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores TUMT6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V, 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 110pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.5A, 1.3A

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.20 $0.20 $0.19
Mínimo: 1

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