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SIA910EDJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIA910EDJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 7.8W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de pieza base SIA910E
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-70-6 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 455pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.5A

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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