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DMN3015LSD-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: DMN3015LSD-13
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25.1nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1415pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.4A (Ta)

En stock 1389 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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