RCD100N20TL
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | RCD100N20TL |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 10A CPT3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5.25V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | CPT3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 25nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1400pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 53 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.62 | $0.61 | $0.60 |
Mínimo: 1