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PSMN015-110P,127

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN015-110P,127
Descripción: MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 15mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 110V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4900pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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