La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSC016N03LSGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC016N03LSGATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.6mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 131nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10000pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 32A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SKI10195
Sanken
$0
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
$0.61
AOB4S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.61
AUIRF7647S2TR
Infineon Technologies
$0.61
TSM3N80CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.61