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HP8MA2TB1

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: HP8MA2TB1
Descripción: HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 3W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC, 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF, 1250pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta), 15A (Ta)

En stock 2500 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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