SIZF916DT-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SIZF916DT-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CH DUAL 30V |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PowerPair® (6x5) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 23A (Ta), 40A (Tc) |
En stock 5750 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1