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SIZ998DT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIZ998DT-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 20.2W, 32.9W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PowerPair®
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc), 60A (Tc)

En stock 8736 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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