QJD1210SA1
Fabricantes: | Powerex, Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | QJD1210SA1 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Powerex, Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Bulk |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 520W |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caso | Module |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.6V @ 34mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 330nC @ 15V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 8200pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100A |
En stock 66 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1