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QJD1210010
| Fabricantes: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | QJD1210010 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Powerex, Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Bulk |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1080W |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 10mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 500nC @ 20V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 10200pF @ 800V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100A (Tc) |
En stock 83 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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