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EPC2102ENG
| Fabricantes: | EPC |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | EPC2102ENG |
| Descripción: | GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Tray |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Potencia - Máx. | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 7mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Die |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 830pF @ 30V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 23A |
En stock 73 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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