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PDTC114ET/DG/B2,21

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PDTC114ET/DG/B2,21
Descripción: TRANS RET TO-236AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Frecuencia - Transición 230MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236AB
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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