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RN1406S,LF(D

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1406S,LF(D
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores S-Mini
Resistencia - Base emisora (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 69 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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