La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

RN1109MFV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1109MFV,L3F
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 47 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Resistencia - Base emisora (R2) 22 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BCR505E6778HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies
$0