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PMV40UN,215

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMV40UN,215
Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 700mV @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 47mOhm @ 2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236AB (SOT23)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.3nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 445pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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