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IRFD110

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFD110
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 540mOhm @ 600mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.3W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 180pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 96 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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