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BSH111,215

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSH111,215
Descripción: MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 830mW (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 40pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 335mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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