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TPS1100DR

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPS1100DR
Descripción: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) +2V, -15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 791mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Mínimo: 1

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