TK2Q60D(Q)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TK2Q60D(Q) |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | π-MOSVII |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 60W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PW-MOLD2 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 280pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 87 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.65 | $0.64 | $0.62 |
Mínimo: 1