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TPH4R10ANL,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPH4R10ANL,L1Q
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SOP Advance (5x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	75nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	6.3nF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	92A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V