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IRF6892STR1PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRF6892STR1PBF
Descripción:	MOSFET N-CH 25V 28A S3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	DirectFET™ Isometric S3C
Vgs(th) (Max) - Id	2.1V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.7mOhm @ 28A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	DIRECTFET™ S3C
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	25nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2510pF @ 13V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	28A (Ta), 125A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V