La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF6810STR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6810STR1PBF
Descripción: MOSFET N CH 25V 16A S1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.2mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET S1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1038pF @ 13V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PMN25UN,115
NXP USA Inc.
$0
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
$0
TK16V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TK12V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SIR644DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0