Image is for reference only , details as Specifications

TK12V60W,LVQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK12V60W,LVQ
Descripción: MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-VSFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 600µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DFN-EP (8x8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 890pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIR644DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IXTT12N140
IXYS
$0
IPU60R950C6BKMA1
Infineon Technologies
$0