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IPD65R1K4CFDATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD65R1K4CFDATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 28.4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 262pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.41 $0.40 $0.39
Mínimo: 1

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