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IPD65R1K4CFDATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPD65R1K4CFDATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.4Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.)	28.4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	262pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V