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DMT6007LFGQ-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMT6007LFGQ-13
Descripción: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 41.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2090pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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