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DMT6007LFGQ-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT6007LFGQ-7
Descripción:	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	41.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2090pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	15A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V