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IXTH6N100D2

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTH6N100D2
Descripción:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Depletion Mode
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.2Ohm @ 3A, 0V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247 (IXTH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	95nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2650pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	-