Image is for reference only , details as Specifications

TPH3206PD

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3206PD
Descripción: GANFET N-CH 600V 17A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.3nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 760pF @ 480V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 438 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.75 $10.54 $10.32
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
$10.61
PMZB150UNEYL
Nexperia USA Inc.
$0.06
IXFL38N100Q2
IXYS
$42.42
IXTB62N50L
IXYS
$41.12
TSM600P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.41