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GA05JT12-263

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GA05JT12-263
Descripción: TRANS SJT 1200V 15A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET -
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Disipación de energía (máx.) 106W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK (7-Lead)
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 952 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.92 $10.70 $10.49
Mínimo: 1

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