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ZXMN2A04DN8TA
| Fabricantes: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | ZXMN2A04DN8TA |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1.8W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22.1nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1880pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.9A |
En stock 276 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.88 | $1.84 | $1.81 |
Mínimo: 1
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