Image is for reference only , details as Specifications

SIZF920DT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SIZF920DT-T1-GE3
Descripción:	MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PowerPair® (6x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)