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SIZ900DT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIZ900DT-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 48W, 100W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-PowerPair™
Número de pieza base SIZ900
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-PowerPair™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1830pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 24A, 28A

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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