Image is for reference only , details as Specifications

SQM120N04-1M7_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQM120N04-1M7_GE3
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (D2Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 310nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 17350pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 58 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.69 $1.66 $1.62
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

AOK5N100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.69
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
$1.69
FCP165N65S3R0
ON Semiconductor
$1.69
TK5Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.69
IRLR7843PBF
Infineon Technologies
$1.69