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TK5Q60W,S1VQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK5Q60W,S1VQ
Descripción: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 270µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 2.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 380pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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