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SQJ962EP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SQJ962EP-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 25W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 475pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A

En stock 81 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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